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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQPF7N65CYDTU

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Immagine FQPF7N65CYDTU.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF7N65CYDTU

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Specifiche

Modello di prodotti

FQPF7N65CYDTU
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQPF7N65CYDTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie

QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1245pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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