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Casa > Centro di prodotti > Isolatori > Optoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaica > H11A817AW

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Immagine H11A817AW.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817AW

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Specifiche

Modello di prodotti

H11A817AW
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

H11A817AW.pdf
Tensione - uscita (max)

70V
Tensione - Isolamento

5300Vrms
Tensione - Forward (Vf) (Typ)

1.2V
Vce saturazione (max)

200mV
Accensione / spegnimento (Typ)

-
Contenitore dispositivo fornitore

4-DIP
Serie

-
Tempo di salita / scadenza (Typ)

2.4µs, 2.4µs
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

4-DIP (0.400", 10.16mm)
Tipo di uscita

Transistor
temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C
Numero di canali

1
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

DC
Descrizione dettagliata

Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
Rapporto trasferimento corrente (min)

80% @ 5mA
Rapporto trasferimento corrente (max)

160% @ 5mA
Corrente - Uscita / Canale

50mA
Corrente - DC Forward (If) (Max)

50mA

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