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Immagine HUF75339G3.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUF75339G3

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Specifiche

Modello di prodotti

HUF75339G3
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HUF75339G3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

55V
Descrizione dettagliata

N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

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