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5776943Immagine IRLS640A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

IRLS640A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRLS640A
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRLS640A.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 4.9A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    40W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    IRLS640A-ND
    IRLS640AFS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1705pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.8A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO-220F

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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