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6864521Immagine KSB811OTA.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSB811OTA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    KSB811OTA
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 25V 1A TO-92S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    KSB811OTA.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    25V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 100mA, 1A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92S
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    110MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 100mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    KSB811

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