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KSD227GBU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    KSD227GBU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    KSD227GBU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    25V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 30mA, 300mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    400mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 300mA 400mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 50mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    300mA
  • Numero di parte base
    KSD227

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