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KSD560RTU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    KSD560RTU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.KSD560RTU.pdf
    2.KSD560RTU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 3mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 5A 1.5W Through Hole TO-220-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    2000 @ 3A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A
  • Numero di parte base
    KSD560

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KSD569RTU

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