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5158049Immagine MBR830MFST3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MBR830MFST3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBR830MFST3G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MBR830MFST3G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    700mV @ 8A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -40°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 30V 8A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    200µA @ 30V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    8A
  • Capacità a Vr, F
    -

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