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MBT35200MT2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBT35200MT2G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    35V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    310mV @ 20mA, 2A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1.5A, 1.5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A
  • Numero di parte base
    MBT35200

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