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Immagine MGSF1N02LT1.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MGSF1N02LT1

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Specifiche

Modello di prodotti

MGSF1N02LT1
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

MGSF1N02LT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

90 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MGSF1N02LT1OSCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pF @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

750mA (Ta)

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