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2018422Immagine MJB45H11G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJB45H11G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJB45H11G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 80V 10A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJB45H11G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    MJB45H11G-ND
    MJB45H11GOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    40MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A
  • Numero di parte base
    MJB45H11

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Descrizione: TRANS PNP 100V 6A D2PAK

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