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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJD253-1G

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Immagine MJD253-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD253-1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MJD253-1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 100V 4A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJD253-1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

-
Potenza - Max

1.4W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

MJD253-1G-ND
MJD253-1GOS
MJD2531G
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

40MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

4A
Numero di parte base

MJD253

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