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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJD42C1G

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Immagine MJD42C1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD42C1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MJD42C1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 100V 6A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJD42C1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

-
Potenza - Max

1.75W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

MJD42C1G-ND
MJD42C1GOS
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

3MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 1.75W Through Hole I-PAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)

50µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

6A
Numero di parte base

MJD42

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