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1042506Immagine MJD50.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD50

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJD50
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 400V 1A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MJD50.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    400V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.56W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    10MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    200µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    MJD50

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