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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJE172G

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Immagine MJE172G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE172G

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Specifiche

Modello di prodotti

MJE172G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 80V 3A TO225AA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJE172G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1.7V @ 600mA, 3A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

TO-225AA
Serie

-
Potenza - Max

1.5W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi

MJE172GOS
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

9 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

50MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

3A
Numero di parte base

MJE172

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