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3208633Immagine MJE181STU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE181STU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE181STU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 3A TO-126
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJE181STU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.7V @ 600mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-126
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    50MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-126
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 100mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A
  • Numero di parte base
    MJE181

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