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4938762Immagine MJE5730G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE5730G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE5730G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 300V 1A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJE5730G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    300V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    40W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    MJE5730GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    10MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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