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3786660Immagine MJE5852G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE5852G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJE5852G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 400V 8A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJE5852G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    400V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    5V @ 3A, 8A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Potenza - Max
    80W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    MJE5852GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 8A 80W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    5 @ 5A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A
  • Numero di parte base
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