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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJF15030G

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Immagine MJF15030G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJF15030G

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Specifiche

Modello di prodotti

MJF15030G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 150V 8A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJF15030G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

150V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

-
Potenza - Max

2W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
Altri nomi

MJF15030GOS
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

30MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 8A 30MHz 2W Through Hole TO-220FP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

8A

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