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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MJW21194G

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Immagine MJW21194G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJW21194G

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Specifiche

Modello di prodotti

MJW21194G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 250V 16A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJW21194G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

250V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Potenza - Max

200W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

MJW21194GOS
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

9 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

4MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 16A 4MHz 200W Through Hole TO-247
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

16A

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