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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > MMBFJ113
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MMBFJ113

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MMBFJ113
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFET N-CH 35V 350MW SOT23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MMBFJ113.pdf
    2.MMBFJ113.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    500mV @ 1µA
  • Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)
    35V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Resistenza - RDS (on)
    100 Ohms
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    MMBFJ113-ND
    MMBFJ113TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Descrizione dettagliata
    JFET N-Channel 35V 350mW Surface Mount SOT-23-3
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    2mA @ 15V
  • Numero di parte base
    MBFJ113

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Pagamento
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