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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > MMBT6517LT1G

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Immagine MMBT6517LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT6517LT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

MMBT6517LT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MMBT6517LT1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potenza - Max

225mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MMBT6517LT1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

200MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

50nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA
Numero di parte base

MMBT6517

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