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6533037Immagine MTB23P06VT4.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MTB23P06VT4

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MTB23P06VT4
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MTB23P06VT4.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3W (Ta), 90W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    MTB23P06VT4OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1620pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 23A (Ta) 3W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    23A (Ta)

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