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6769059Immagine MURHB860CT.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MURHB860CT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MURHB860CT
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MURHB860CT.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2.8V @ 4A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK-3
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    MEGAHERTZ™
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 4A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    4A
  • Numero di parte base
    MURHB860CT

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