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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > N01L63W3AB25I
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3079122Immagine N01L63W3AB25I.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

N01L63W3AB25I

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    N01L63W3AB25I
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    N01L63W3AB25I.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    55ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-BGA (6x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-LFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 48-BGA (6x8)
  • Numero di parte base
    N01L63W3A
  • Tempo di accesso
    55ns

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Pagamento
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