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Immagine NDF03N60ZH.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDF03N60ZH

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Specifiche

Modello di prodotti

NDF03N60ZH
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDF03N60ZH.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

27W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

372pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 3.1A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Tc)

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