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Immagine NDS9952A.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDS9952A

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Specifiche

Modello di prodotti

NDS9952A
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NDS9952A.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.8V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 10V
Potenza - Max

900mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

NDS9952ATR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A, 2.9A

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