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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > NGTB40N60FLWG

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Immagine NGTB40N60FLWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB40N60FLWG

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Specifiche

Modello di prodotti

NGTB40N60FLWG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 600V 80A 257W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NGTB40N60FLWG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.1V @ 15V, 40A
Condizione di test

400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

85ns/174ns
di scambio energetico

890µJ (on), 440µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

77ns
Potenza - Max

257W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

NGTB40N60FLWGOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

171nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 600V 80A 257W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

160A
Corrente - collettore (Ic) (max)

80A

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