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5074752Immagine NLAS4717EPFCT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NLAS4717EPFCT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NLAS4717EPFCT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROBUMP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NLAS4717EPFCT1G.pdf
  • Alimentazione di tensione, singola (V +)
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Alimentazione di tensione, Dual (V ±)
    -
  • Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)
    30ns, 40ns
  • Circuito di commutazione
    SPDT
  • Contenitore dispositivo fornitore
    10-Microbump (1.97x1.47)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    10-UFBGA, FCBGA
  • Altri nomi
    NLAS4717EPFCT1G-ND
    NLAS4717EPFCT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Resistenza sullo stato (Max)
    3.5 Ohm
  • Numero di circuiti
    2
  • Circuito di Multiplexer / Demultiplexer
    2:1
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    5 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    2 Circuit IC Switch 2:1 3.5 Ohm 10-Microbump (1.97x1.47)
  • Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo)
    1nA
  • crosstalk
    -110dB @ 1MHz
  • Iniezione di carica
    9pC
  • Corrispondenza canale-canale (ΔRon)
    100 mOhm
  • Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato)
    15pF
  • Numero di parte base
    NLAS4717
  • -3 dB Larghezza di banda
    90MHz

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