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3987632Immagine NSBA123EF3T5G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSBA123EF3T5G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS DUAL PNP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSBA123EF3T5G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-1123
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    254mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-1123
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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