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4442708Immagine NSBC114YDP6T5G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSBC114YDP6T5G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSBC114YDP6T5G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-963
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    339mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-963
  • Altri nomi
    NSBC114YDP6T5G-ND
    NSBC114YDP6T5GOSTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    NSBC1*

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NSBC114YDXV6T5G

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NSBC114YPDXV6T1G

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Descrizione: SS SOT563 RSTR XSTR TR

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