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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > NST847BPDP6T5G
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3588735Immagine NST847BPDP6T5G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NST847BPDP6T5G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NST847BPDP6T5G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    45V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo transistor
    NPN, PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-963
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-963
  • Altri nomi
    NST847BPDP6T5G-ND
    NST847BPDP6T5GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount SOT-963
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    15nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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