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Immagine NSVEMT1DXV6T5G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVEMT1DXV6T5G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSVEMT1DXV6T5G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSVEMT1DXV6T5G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-563
Serie

-
Potenza - Max

500mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-563, SOT-666
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

140MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500pA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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