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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTAT6H406NT4G
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896294Immagine NTAT6H406NT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTAT6H406NT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTAT6H406NT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NCH 80V 175A 2.9MOHM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    NTAT6H406NT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ATPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    90W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    8040pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 175A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    175A (Ta)

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Descrizione: DC DC CONVERTER +/-12V 1W

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Descrizione: NFC DEV TOOL

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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