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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTB23N03R

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Immagine NTB23N03R.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB23N03R

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Specifiche

Modello di prodotti

NTB23N03R
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTB23N03R.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

45 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

37.5W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 23A (Ta) 37.5W (Tj) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

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