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4194789Immagine NTB45N06G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB45N06G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTB45N06G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTB45N06G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    26 mOhm @ 22.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.4W (Ta), 125W (Tj)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    NTB45N06G-ND
    NTB45N06GOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1725pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    45A (Ta)

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