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5531269Immagine NTD20P06L-1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD20P06L-1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTD20P06L-1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTD20P06L-1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    150 mOhm @ 7.5A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    65W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1190pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 15.5A (Ta) 65W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    15.5A (Ta)

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