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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTD3055-094G

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Immagine NTD3055-094G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3055-094G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD3055-094G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD3055-094G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

94 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta), 48W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

NTD3055-094G-ND
NTD3055-094GOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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