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4002882Immagine NTHD3100CT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD3100CT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTHD3100CT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTHD3100CT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    NTHD3100CT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    46 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    165pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A, 3.2A
  • Numero di parte base
    NTHD3100C

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