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Immagine NTJD4401NT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD4401NT4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTJD4401NT4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTJD4401NT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Potenza - Max

270mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

630mA
Numero di parte base

NTJD4401N

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