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101230Immagine NTK3139PT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTK3139PT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTK3139PT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 0.66A SOT-723
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTK3139PT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-723
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    480 mOhm @ 780mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    310mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Altri nomi
    NTK3139PT1GOSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    41 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 16V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-723
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    660mA (Ta)

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