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969160Immagine NTMFD4902NFT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4902NFT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTMFD4902NFT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTMFD4902NFT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Potenza - Max
    1.1W, 1.16W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    NTMFD4902NFT1G-ND
    NTMFD4902NFT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    46 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1150pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10.3A, 13.3A

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