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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTMFS4826NET3G

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Immagine NTMFS4826NET3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4826NET3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4826NET3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4826NET3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

5.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN, 5 Leads
Altri nomi

NTMFS4826NET3G-ND
NTMFS4826NET3GOSTR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 9.5A (Ta), 66A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 66A (Tc)

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