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Immagine NTMFS4983NFT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4983NFT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4983NFT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4983NFT3G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

2.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 38W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

47.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 22A (Ta), 106A (Tc) 1.7W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 106A (Tc)

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