NTMFS5C410NLTT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS5C410NLTT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS5C410NLTT3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

0.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 167W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8862pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Ta), 330A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "NTMFS5C410NLTT3G".

NTMFS5C410NLT1G

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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