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2147248Immagine NTMFS5H414NLT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS5H414NLT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTMFS5H414NLT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    T8 40V LOW COSS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTMFS5H414NLT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.1W (Ta), 110W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Altri nomi
    NTMFS5H414NLT1GOSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4550pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 35A (Ta), 210A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Ta), 210A (Tc)

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