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NTMSD2P102R2SG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTMSD2P102R2SG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 16V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

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