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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTR5105PT1G

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Immagine NTR5105PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR5105PT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTR5105PT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTR5105PT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

347mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

NTR5105PT1G-ND
NTR5105PT1GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30.3pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

P-Channel 60V 196mA (Ta) 347mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

196mA (Ta)

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