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4538029Immagine NTS2101PT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTS2101PT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTS2101PT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTS2101PT1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-3 (SOT323)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    290mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 8V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)

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