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3101463Immagine NTTS2P03R2.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTS2P03R2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTTS2P03R2
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTTS2P03R2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Micro8™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 2.48A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    600mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Altri nomi
    NTTS2P03R2OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 24V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount Micro8™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

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Descrizione: AFSM T6 60V LL U8FL

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

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